集邦咨询：2022下半年将量产8吋衬底 至2025年第三类功率太阳能电池CAGR达48%

以外最极强发展潜力的材料即为极强备颇高额定功率及颇高功率特性的宽禁带（Wide Band Gap；WBG）矽，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用大宗为锂充电电池、快充市场。据TrendForce集邦征询深入研究推估，第三类额定功率矽年产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将转变至47.1亿美元，年举例来说转变率近48%。

SiC简便颇高额定功率应用，如储能、4台、稀土、锂充电电池、新能源车等对充电电池子系统极强总体要求的产业。其中，锂充电电池倍受市场非议，不过以外市售锂充电电池所搭载的额定功率矽同样为硅基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET，但由于锂充电电池充电电池动力子系统逐步往800V以上的颇高电路发展，比起于Si，SiC在颇高压的子系统中有更为好的性能体现，有望逐步替代部分Si base设计，大幅提颇高汽车性能并优化；不架构，预估SiC额定功率矽至2025年可近33.9亿美元。

GaN简便颇高功率应用，之外无线电装置，以及用于智能手机、平板、笔电的快充。比起于传统快充，GaN快充拥有更为大的额定能量密度，故充电速度更为快，且大小更为小便于装载，吸引不少OEM、ODM店家加入而开始颇高速发展，预估GaN额定功率矽至2025年可近13.2亿美元。

TrendForce集邦征询同样提到，比起传统Si base，第三类额定功率矽薄膜制造完成度低且成本较为昂贵，以外在年起薄膜供应商的开发计划下，之外Wolfspeed、II-VI、Qromis等店家下半年扩增产能，并将在2022下半年量产8总重薄膜，短期内第三类额定功率矽未来几年年产值仍有转变的空间。

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